[发明专利]基于一维光子晶体的多波长垂直腔面发射激光器及制备方法无效
| 申请号： | 200910244429.4 | 申请日： | 2009-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101764354A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 关宝璐;郭霞;张敬兰;任秀娟;郭帅;李硕;沈光地 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/06 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 吴荫芳 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 基于一维光子晶体的多波长垂直腔面发射激光器及制备方法属于半导体光电子器件领域。该激光器为内腔接触式的层叠结构，正向电极层(1)设置在p型欧姆接触层(5)上，欧姆接触层(5)以上依次为相位调节层(13)、铝砷化镓层(3)、砷化镓层(2)，欧姆接触层(5)以下依次为铝砷化镓氧化电流限制层(6)、有源区(7)、n型铝砷化镓层(8)、n型砷化镓层(9)、n型砷化镓衬底(10)、衬底电极层(11)，其中相位调节层(13)采用具有透光性的材料，其厚度可以根据设计双波长的位置、频差需要采用任意厚度，而不局限为激光器所输出激光波长的四分之一的整数倍。由于具有一定厚度的相位调节层可以调节激光器谐振腔内部传输光子相位变化，从而实现多波长发射。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 光子 晶体 波长 垂直 发射 激光器 制备 方法 | ||
【主权项】：
基于一维光子晶体的多波长垂直腔面发射激光器，该激光器为内腔接触式的层叠结构，正向电极层(1)设置在p型欧姆接触层(5)上，欧姆接触层(5)以下依次为铝砷化镓氧化电流限制层(6)、有源区(7)、n型铝砷化镓层(8)、n型砷化镓层(9)、n型砷化镓衬底(10)、衬底电极层(11)，其特征在于：欧姆接触层(5)以上设置有相位调节层(13)，相位调节层(13)之上为交替生长的19对铝砷化镓层(3)、砷化镓层(2)，构成激光器一头的分布反馈布拉格反射镜(DBR)结构；另外，n型铝砷化镓层(8)与n型砷化镓层(9)交替生长26对，构成激光器另一头的分布反馈布拉格反射镜(DBR)结构，其中，每层铝砷化镓层(3)、砷化镓层(2)、n型铝砷化镓层(8)、n型砷化镓层(9)的厚度为激射波长λ的四分之一的整数倍；所述相位调节层(13)采用具有透光性的材料。
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