[发明专利]半导体器件用金铍合金材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 200910244557.9 | 申请日： | 2009-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102115833A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 陈怡兰;史秀梅 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属与稀土应用研究所 |
| 主分类号： | C22C5/02 | 分类号： | C22C5/02;C22C1/03;B22D11/16;H01L23/49;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 朱丽华 |
| 地址： | 100012*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件用金铍材料及其制备方法和应用，金铍合金成分组成及质量百分比：Be：1-5％，Au：余量。制备方法如下：按组分及质量百分比配比计算、称重备原材料；按金、铍半导体器件用顺序先后放入氧化铝坩埚中，再将坩埚放入半圆形的可密封石英玻璃罩内，并抽真空；使用电阻炉加热，升温使金、铍熔化，精练后停止加热；冷却至50℃以下，得到金铍中间合金；将得到的金铍中间合金再用相同的方法与金一起熔化、精练，得到含铍量较低的金铍合金；用该合金再与金经过熔炼、连铸、拉拔工序，得到键合金丝。其是制备优质隧道二极管的基础合金材料，应用于制备二元化合物半导体薄膜电路上的线路与电极；还可制备键合金丝，利于实现金与半导体间的欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 用金铍 合金材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种半导体器件用金铍合金，其特征在于其成分组成及质量百分比：Be：1‑5％，Au：余量。
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