[发明专利]一种氢等离子体氛围中铝诱导晶化多晶硅薄膜的制备方法

摘要

一种氢等离子体氛围中铝诱导晶化多晶硅薄膜的制备方法，将衬底上沉积包括非晶硅薄膜、二氧化硅薄膜和金属铝薄膜制得的多层薄膜，在450℃～550℃下氢等离子氛围中退火，较短时间即可获得完全晶化了的多晶硅薄膜。该发明不仅将传统的退火晶化工艺、氢等离子体晶化与钝化工艺合二为一，并且降低了铝诱导晶化的退火时间，减少了热预算，可以较显著地降低成本；本发明通过氢等离子体氛围铝诱导晶化制备的多晶硅薄膜材料，可用于制备多晶硅薄膜太阳电池、平板显示器件中的低温多晶硅薄膜晶体管等器件，具有工艺简化、热预算少、成本低等特点，是一种适用于大规模工业生产的多晶硅薄膜材料的晶化方法。

主权项

一种氢等离子体氛围中铝诱导晶化多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于步骤如下：1)在衬底上沉积包括非晶硅薄膜、二氧化硅薄膜和金属铝薄膜制得多层薄膜；2)将上述多层薄膜放入退火炉中，将退火炉抽真空并将退火炉升温至退火温度；3)通入氢气并通过设置于退火炉内的氢等离子体发生源产生氢等离子体，使多层薄膜暴露于氢等离子体氛围中；4)在退火炉温度恒定条件下，进行退火；5)关闭氢气等离子体发生源，停止通氢气，二次抽真空，待自然降温后从退火炉中取出，即可制得完全晶化的多晶硅薄膜材料。