[发明专利]多种器件集成工艺中栅极间隙壁的制造方法无效
| 申请号： | 200910246103.5 | 申请日： | 2009-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102082124A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 吴孝嘉;罗泽煌;郭立;涂晶晶 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种多种器件集成工艺中栅极间隙壁的制造方法，包括：在已形成有多晶硅栅极的衬底表面依次形成氧化硅层和氮化硅层；干法蚀刻氮化硅层，仅保留多晶硅栅极侧壁部分，并暴露出氧化硅层；以含氢氟酸的腐蚀液蚀刻氧化硅层，仅保留多晶硅栅极侧壁部分，并暴露出衬底。所述栅极间隙壁的制造方法不会损伤衬底表面，有利于多种器件集成工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 多种 器件 集成 工艺 栅极 间隙 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多种器件集成工艺中栅极间隙壁的制造方法，其特征在于，包括：在已形成有多晶硅栅极的衬底表面依次形成氧化硅层和氮化硅层；干法蚀刻氮化硅层，仅保留多晶硅栅极侧壁部分，并暴露出氧化硅层；以含氢氟酸的腐蚀液蚀刻氧化硅层，仅保留多晶硅栅极侧壁部分，并暴露出衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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