[发明专利]一种获得生产线新产品基准产品良率方法有效
申请号: | 200910247205.9 | 申请日: | 2009-12-24 |
公开(公告)号: | CN102110584A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
发明(设计)人: | 梅杰;王立;刘喆秋 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 牛峥;王丽琴 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提出一种获得生产线新产品基准产品良率的方法,通过引入良率筛选,误宰率补偿,缺陷密度修正系数,代入缺陷密度公式,得到缺陷密度修正公式,计算得到生产线的固有缺陷密度,进而能够准确获得生产线上新产品基准产品良率。 | ||
搜索关键词: | 一种 获得 生产线 新产品 基准 产品 方法 | ||
【主权项】:
一种获得生产线新产品基准产品良率的方法,该方法包括:随机挑选生产线上生产的若干晶圆,所述晶圆具有同种芯片;对所述晶圆进行晶圆一致性筛选,计算一次修正后的产品良率Yield’;对所述产品良率Yield’进行非缺陷失效的修正,计算二次修正后的产品良率Yield′+ΔYield;由Yield′+ΔYield=1/(1+A·D0)α计算所述生产线的固有缺陷密度D0,其中,Yield′+ΔYield是(1+A·D0)的α次幂的倒数,α是所述同种芯片制造过程的复杂度系数,A是所述同种芯片的面积;由Yield‑new=1/(1+A1·D0)α1获得生产线新产品基准产品良率Yield‑new,其中,新产品基准产品良率Yield‑new是(1+A1·D0)的α1次幂的倒数,α1是新产品芯片制造过程的复杂度系数,A1是新产品芯片的面积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造