[发明专利]CMOS图像传感器的制造方法及其器件结构

摘要

CMOS图像传感器的器件结构，包括：P型半导体衬底，半导体衬底分为二极管区域和晶体管区域及位于二极管区域和晶体管区域之间的间隙区域；位于晶体管区域的半导体衬底中的P型深掺杂阱；位于半导体衬底表面的栅氧化层，所述栅氧化层包含具有第一厚度的第一栅氧化层和具有第二厚度的第二栅氧化层，第一厚度大于第二厚度，第一栅氧化层位于二极管区域、间隙区域和部分深掺杂阱上方，第二栅氧化层位于其余深掺杂阱上方。所述方法增加了晶体管栅电极与源电极之间的氧化层厚度，减小了晶体管栅电极与源电极之间的电场，减小了漏电流。

主权项

一种CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，包括：提供具有第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底分为二极管区域和晶体管区域及位于二极管区域和晶体管区域的之间的间隙区域；在晶体管区域形成具有第一导电类型的深掺杂阱；在半导体衬底表面形成栅氧化层，所述栅氧化层包含具有第一厚度的第一栅氧化层和具有第二厚度的第二栅氧化层，第一厚度大于第二厚度，第一栅氧化层覆盖二极管区域、间隙区域和部分深掺杂阱，第二栅氧化层覆盖其余部分的深掺杂阱；在栅氧化层上方形成栅电极，所述栅电极具有第一侧和第二侧，第一侧位于第一栅氧化层上且与间隙区域位置对应，第二侧位于第二栅氧化层上。