[发明专利]一种源极为肖特基结的隧穿晶体管结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200910247546.6 | 申请日： | 2009-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101771079A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 王鹏飞;吴东平;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/47;H01L21/336;H01L21/28;H01L27/092;H01L27/088 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种源极为肖特基结的隧穿晶体管(TFET)结构及其制备方法，该隧穿晶体管采用源极为肖特基结的U形沟道结构，其驱动电流得到提高的同时漏电流也得到了减小；同时，该隧穿晶体管利用自对准金属硅化物工艺形成晶体管的栅极、源极和漏极，工艺过程简单，成本低廉，器件的性能得到了很大提升；而且，使用不同的肖特基结做为U形沟道的N型隧穿晶体管(NTFET)和P型隧穿晶体管(PTFET)的源极，可以制成类似CMOS结构的互补隧穿晶体管(CTFET)。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 极为 肖特基结 晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种隧穿晶体管结构，其特征在于，该隧穿晶体管包括至少一个半导体衬底、一个源极、一个漏极和一个栅极；并采用U形沟道结构；其中，所述的源极采用肖特基结。
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