[发明专利]一种采用自对准工艺的半导体存储器结构及其制造方法

摘要

本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种采用自对准工艺的半导体存储器结构及其制备方法，该半导体存储器采用隧穿晶体管对相变存储器或阻变存储器进行比如擦写操作和读操作的控制，一方面，隧穿晶体管的正向偏置p-n结电流可以满足相变存储器或阻变存储器需要较大的电流来进行擦写操作的特点；另一方面，垂直结构的隧穿二极管可以大大提高存储器件陈列的密度。本发明还公开了一种使用自对准工艺来制造所述半导体存储器结构的方法，非常适用于存储器芯片的制造。

主权项

一种半导体存储器结构，其特征在于，该结构包括至少一个电阻可变的存储单元和一个用于对半导体存储器进行操作的隧穿晶体管结构；所述的电阻可变的存储器单元与所述隧穿晶体管的源极或者漏极相连，所述隧穿晶体管的栅极可以控制通过所述存储器单元的电流。