[发明专利]半导体工艺生产流程中的测量数据的监测方法和装置有效
| 申请号： | 200910248082.0 | 申请日： | 2009-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102117731A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 牛海军;杨丽霞;孙琦 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体工艺生产过程中测量数据的监测方法和装置，该方法包括：从实时系统中定期更新晶圆性能参数测量数据至分析数据库中；根据预先设定的待分析性能参数信息和选用的分析规则信息，依照选用的分析规则对测量数据覆盖的时间范围的需求，从分析数据库中取出满足分析规则需求的时间范围内的待分析性能参数的测量数据；判断从分析数据库中取出的性能参数的测量数据是否违反了所述选用的分析规则的控制范围，如果违反，则针对该违反选用分析规则的控制范围的性能参数发送告警信息。通过本发明实施例提供的方法和装置能够对晶圆的性能参数的测量数据进行自动监控，并且能够自动发现发生异常的性能参数。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 生产流程 中的 测量 数据 监测 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体工艺生产过程中测量数据的监测方法，其特征在于，包括：从实时系统中定期更新晶圆性能参数的测量数据至分析数据库中；根据预先设定的待分析性能参数信息和选用的分析规则信息，依照选用的分析规则对测量数据覆盖的时间范围的需求，从分析数据库中取出满足分析规则需求的时间范围内的待分析性能参数的测量数据；判断从分析数据库中取出的性能参数的测量数据是否违反了所述选用的分析规则的控制范围，如果违反，则针对该违反选用分析规则的控制范围的性能参数发送告警信息。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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