[发明专利]集成化PNP差分对管的制作方法

摘要

一种集成化PNP差分对管的制作方法，选择单面抛光P+硅衬底，其电阻率为0.001～0.008欧姆-厘米，在硅衬底上生长外延层作为N基区，电阻率为0.2-2.0欧姆-厘米，厚度10～20μm，热氧化生长一层氧化层；在N基区表面扩散硼，扩散硼结与P+硅衬底连接作为公用P+集电区，将外延层分离成两个独立基区；在N基区表面扩散硼形成发射区，控制N基区有效宽度为5～10μm；对N基区表面扩散磷形成N+基区接触区；在N+基区接触区、P+集电区及发射区表面引出金属电极；在P+集电区表面或P+硅衬底背面引出金属电极。其优点是可以有效的降低饱和压降，使其基极-发射极反向电压达到30～100V；器件除了具有大的正向直流放大系数β外，反向直流放大系数β高达8～15。

主权项

一种集成化PNP差分对管的制作方法，其特征是：1.1、选择<111>晶向单面抛光P+硅衬底，其电阻率为0.001～0.008欧姆-厘米，在硅衬底上生长外延层作为N基区，电阻率为0.2-2.0欧姆-厘米，厚度10～20μm，热氧化生长一层氧化层；1.2、通过光刻掩蔽腐蚀在N基区表面扩散硼，扩散硼结与P+硅衬底连接作为公用P+集电区且形成保护环，将外延层分离成两个独立基区，P+集电区的表面杂质浓度(4～10)×1019/cm3；1.3、通过光刻掩蔽腐蚀在N基区表面扩散硼形成发射区，控制N基区有效宽度为5～10μm，杂质浓度为(5～10)×1019/cm3；1.4、对N基区表面光刻掩蔽腐蚀，扩散磷形成N+基区接触区，杂质浓度为(10～50)×1019/cm3；1.5、在N+基区接触区、P+集电区及发射区表面引出金属电极；在P+集电区表面或P+硅衬底背面引出金属电极。