[发明专利]以氧化亚铜微晶薄膜为传感材料的气体传感器无效
| 申请号： | 200910249072.9 | 申请日： | 2009-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101819176A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 阿哈拉普瑅亚·H·杰亚瑅沙;张洪延 | 申请（专利权）人： | 张洪延;阿哈拉普瑅亚·H·杰亚瑅沙 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 丹东汇申专利事务所 21227 | 代理人： | 徐枫燕 |
| 地址： | 065001 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明申请提供的以氧化亚铜微晶薄膜为传感材料的气体传感器是以沉积法在绝缘材料基体表面上形成金、铂或铬之一的电极薄膜，按设计图形结构以化学侵蚀法在所述的电极薄膜层上制出传感体于基体的占用面，于传感体的基体占用面上制有氧化亚铜层，于氧气和氮气混合气体中退火晶化形成氧化亚铜微晶薄膜。本技术方案有着比现有的其它气体传感器低得多的反应和恢复时间，而且具有良好的选择性，重复性和稳定性也大大提高，其成本低、体积小。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化亚铜 薄膜 传感 材料 气体 传感器 | ||
【主权项】：
一种以氧化亚铜微晶薄膜为传感材料的气体传感器，其特征在于以沉积法在绝缘材料基体(4)表面上形成金、铂或铬之一的电极(1、3)薄膜，按设计图形结构以化学侵蚀法在所述的电极薄膜层上制出传感体(2)于基体的占用面，于传感体的基体占用面上制有氧化亚铜层，于氧气和氮气混合气体中退火晶化形成氧化亚铜微晶薄膜。
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