[发明专利]一种双面PSD器件的制造方法

摘要

本发明涉及一种双面PSD器件的制造方法，包括以下步骤：(1)基片选择；(2)初氧；(3)光刻保护环掩模层；(4)氧化扩散一；(5)光刻上电极区掩模层；(6)氧化扩散二；(7)光刻下电极区掩模层；(8)氧化扩散三；(9)光刻光敏区掩模层；(10)氧化扩散四；(11)光刻背面引线孔掩模层；(12)光刻正面引线孔掩模层；(13)正反面溅纯铝；(14)光刻正面铝电极掩模层；(15)光刻背面铝电极掩模层；(16)去除正反面铝电极掩模层，然后合金，完成双面PSD器件的制作。用本发明方法制作出的双面PSD器件，具有很高的灵敏度、良好的瞬态响应特性，分辨率是单面PSD器件分辨率的两倍，器件边缘的线性度也得到了较大提高。

主权项

一种双面PSD器件的制造方法，其特征在于包括以下步骤：(1)、基片选择；(2)、初氧；(3)、光刻保护环掩模层(3)；(4)、氧化扩散一：a、对保护环部分注磷；b、去除保护环掩模层(3)；c、经氧化，形成保护环(4)；(5)、光刻上电极区掩模层(5)；(6)、氧化扩散二：a、对上电极区掩模层中的上电极区注硼；b、去除上电极区掩模层(5)；c、经氧化，形成一对上电极P区；(7)、光刻下电极区掩模层(6)；(8)、氧化扩散三：a、对下电极区掩模层中的下电极区注磷；b、去除下电极区掩模层(6)；c、经氧化，形成下电极N区；(9)、光刻光敏区掩模层(7)；(10)、氧化扩散四：a、对光敏区掩模层中的光敏区注硼；b、去除光敏区掩模层(7)；c、经氧化，形成光敏区(8)；(11)、光刻背面引线孔掩模层(10)，并腐蚀背面引线孔的N区部分；(12)、光刻正面引线孔掩模层(9)，并腐蚀正面引线孔的P区部分；(13)、正反面溅纯铝：去除正面引线孔掩模层(9)及反面引线孔掩模层(10)，然后正反面溅射铝电极层(11)；(14)、光刻正面铝电极掩模层(12)，然后把裸露的铝层腐蚀掉，剩下与P区相连的上电极(13)；(15)、光刻背面铝电极掩模层(14)，然后把裸露的铝层腐蚀掉，剩下与N区相连的下电极(15)；(16)、去除正面铝电极掩模层(12)及反面铝电极掩模层(14)，然后合金。