[发明专利]一种制备单排有序纳米带的方法无效
| 申请号： | 200910251712.X | 申请日： | 2009-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101746718A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 姜治;张立德 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230031 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备单排有序纳米带的方法，通过二元共晶相图上共晶点的重量百分比进行配比混合，加热熔化，冷凝，沿着层片状共晶合金的片状生长方向进行纳米切割，得单排有序纳米带。本发明所制备的纳米带的二元共晶合金相互均匀排列，且呈片状生长，且制备方法简单，易操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 单排 有序 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种制备单排有序纳米带的方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)、将可生长成为层片状共晶体的二元共晶合金的两种材料按其二元共晶相图上共晶点的重量百分比进行配比，然后混合加热熔化，然后混合后的合金材料在室温下冷却凝固，制得共晶成分的合金；(2)、将共晶成分的合金通过线切割机线切割成六方体样品，然后六方体合金的表面进行打磨、抛光处理；(3)、将抛光后的六方体合金采用化学浸蚀的方法，确定层片状共晶合金的片状生长方向；(4)、将抛光后的六方体合金沿着确定后的层片状共晶合金的片状生长方向进行表面定向纳米切片处理形成两种材料相互平行排列的单排有序纳米带，切片的厚度为1-1000nm。
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