[发明专利]雪崩光电二极管

摘要

在以往的雪崩光电二极管中，由于光吸收层为未掺杂型时，工作时的偏置电压高，而光吸收层仅微量掺杂时，其掺杂量难以控制，所以不能容易地制造。为此，本发明提供一种雪崩光电二极管，包括：第一导电类型的衬底；在衬底的主面上从衬底侧依次层叠设置的雪崩倍增层、光吸收层和窗层，窗层的一部分是第二导电类型区，光吸收层包括第一光吸收层和导电率比第一光吸收层高的第二光吸收层。

主权项

一种雪崩光电二极管，包括：衬底；在上述衬底上设置的第一导电类型的半导体层；以及在上述第一导电类型的半导体层上依次层叠设置的雪崩倍增层、光吸收层和窗层，上述窗层的一部分是第二导电类型区，上述光吸收层包括第一光吸收层和导电率比第一光吸收层高的第二光吸收层。