[发明专利]成膜装置和成膜方法有效
申请号: | 200910252478.2 | 申请日: | 2009-12-11 |
公开(公告)号: | CN101748391A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 小原一辉;本间学 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46;C23C16/455 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种成膜装置和成膜方法。该成膜装置包括:基板加热部件,其是为了对被设在真空容器内的旋转台上的所载置的基板进行加热而设置的;反应气体供给部件,互相沿旋转台的周向隔开间隔地设置,分别用于向上述旋转台上的基板载置区域侧的面上供给反应气体;分离气体供给部件,为了分离被供给反应气体的各处理区域间的气氛,用于将分离气体供给到在上述周方向上位于这些处理区域之间的分离区域;排气口,用于对被供给到上述旋转台上的上述各反应气体和分离气体进行排气;以及温度调节部件,构成为能对上述真空容器进行加热或冷却。 | ||
搜索关键词: | 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种成膜装置,其用于在真空容器内将互相反应的至少两种反应气体按顺序供给到基板的表面上并执行该供给循环,从而层叠多层反应生成物的层来形成薄膜,其特征在于,包括:旋转台,其被设置在上述真空容器内,具有载置基板的基板载置区域;基板加热部件,其是为了对被载置在该旋转台上的基板进行加热而设置的;第1反应气体供给部件和第2反应气体供给部件,它们在上述旋转台的周向互相隔开间隔地设置,分别用于将第1反应气体和第2反应气体供给到上述旋转台上的基板载置区域侧的面上;分离气体供给部件,其为了分离被供给第1反应气体的第1处理区域、被供给第2反应气体的第2处理区域的气氛,用于将分离气体供给到在上述周向上位于上述处理区域之间的分离区域;排气口,其用于对被供给到上述旋转台上的各反应气体和分离气体进行排气;以及温度调节部件,其构成为能对上述真空容器进行加热或冷却。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的