[发明专利]制造光电转换器件的方法

摘要

本发明公开了一种制造光电转换器件的方法。光电转换器件包括第一导电类型的第一半导体区；与第一半导体区的一部分一起用作光电转换元件的第二导电类型的第二半导体区；将在光电转换元件中产生的电载流子转移到第二导电类型的第三半导体区的栅电极。而且，该光电转换器件还包括将第二半导体区与同第二半导体区相邻的第二导电类型的第四半导体区电隔离的隔离区。用于将电压施加到栅电极的布线布置在隔离区上。这里，杂质浓度低于第四半导体区的第二导电类型的第五半导体区位于第四半导体区和隔离区之间。

主权项

一种制造光电转换器件的方法，该光电转换器件包括：第一导电类型的第一半导体区；第二导电类型的第二半导体区，用于与第一半导体区的一部分一起形成光电转换元件；传输栅电极，将在光电转换元件中产生的电荷转移到第二导电类型的第三半导体区；元件隔离区，用于将光电转换元件与同光电转换元件相邻的晶体管电隔离；第二导电类型的第四半导体区，被布置成将元件隔离区夹在第四半导体区和第二半导体区之间，以使得第四半导体区形成同光电转换元件相邻的晶体管的源极或漏极；以及布置在元件隔离区上用于将电压施加到传输栅电极的布线，其中，所述方法包括：第一步骤，在第一半导体区中形成第二半导体区和第三半导体区；第二步骤，形成所述传输栅电极、所述布线以及同光电转换元件相邻的晶体管的栅电极；第三步骤，形成绝缘薄膜，该绝缘薄膜覆盖第二半导体区、所述布线、整个元件隔离区、元件隔离区和同光电转换元件相邻的晶体管的栅电极之间的活性区的一部分；以及第四步骤，通过以所述绝缘薄膜作为掩模将第二导电类型的杂质离子注入到所述活性区中未由所述绝缘薄膜所覆盖的部分，以形成第四半导体区。