[发明专利]监测晶片传送精确度的方法、装置及使用该装置的机台无效
| 申请号： | 200910252771.9 | 申请日： | 2009-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102103981A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 闫世博;谭佳佳 | 申请（专利权）人： | 和舰科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;G01R19/165 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 王光辉 |
| 地址： | 215025 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及监测晶片传送精确度的方法、装置和使用该装置的机台，方法包括：步骤1：测量并采集蚀刻机台终点侦测电路板上的电压信号；步骤2：将所述电压信号的值与预定值进行比较；步骤3：当所述电压信号的值比预定值低时，发出警报。装置包括：信号采集模块，用于测量并采集蚀刻机台终点侦测电路板上的电压信号；与所述信号采集模块相连的比较模块，用于将所述信号采集模块测量的所述电压信号的值与预定值进行比较；与所述比较模块相连的报警模块，用于当所述电压信号的值比预定值低时，发出警报。本发明通过比较终点侦测电路板上的电压信号与预定值来判断晶片是否被准确传送至反应室中，降低了蚀刻率的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 监测 晶片 传送 精确度 方法 装置 使用 机台 | ||
【主权项】：
一种监测晶片传送精确度的方法，其特征在于，包括：步骤1：测量并采集蚀刻机台终点侦测电路板上的电压信号；步骤2：将所述电压信号的值与预定值进行比较；步骤3：当所述电压信号的值比预定值低时，发出警报。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
