[发明专利]用于全金属硅化物输出入ESD保护的镇流结构无效
| 申请号： | 200910252879.8 | 申请日： | 2009-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102082149A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 谢武聪;韦怡如;柯明道;陈稳义 | 申请（专利权）人： | 义隆电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L23/48;H01L23/60;H02H9/00 |
| 代理公司： | 上海天协和诚知识产权代理事务所 31216 | 代理人： | 张荣义 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于全金属硅化物输出入ESD保护的镇流结构，其特征在于包括：接合垫；基板；NMOS，设置在所述基板上，包括：第一N型井，其中具有第一区域连接所述接合垫；第一源极；以及第一汲极，设置于所述第一N型井中，和所述第一区域之间形成有镇流电阻；以及PMOS，设置在所述基板上，包括：第二N型井；第二源极，设置于所述第二N型井中；以及第二汲极，设置于所述第二N型井中，经由导体连接到所述第一汲极。本发明的用于全金属硅化物输出入ESD保护的镇流结构具有改善全金属硅化物I/O驱动器的ESD强度的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 金属硅 输出 esd 保护 结构 | ||
【主权项】：
一种用于全金属硅化物输出入ESD保护的镇流结构，其特征在于包括：接合垫；基板；NMOS，设置在所述基板上，包括：第一N型井，其中具有第一区域连接所述接合垫；第一源极；以及第一汲极，设置于所述第一N型井中，和所述第一区域之间形成有镇流电阻；以及PMOS，设置在所述基板上，包括：第二N型井；第二源极，设置于所述第二N型井中；以及第二汲极，设置于所述第二N型井中，经由导体连接到所述第一汲极。据此，所述镇流电阻同时保护所述NMOS及所述PMOS。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于义隆电子股份有限公司，未经义隆电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910252879.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
