[发明专利]利用受控传播的膜层转移无效
| 申请号： | 200910253027.0 | 申请日： | 2009-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN101969046A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | F·J·亨利 | 申请（专利权）人： | 硅源公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 可以通过提供具有表面区和位于表面区之下预定深度处的解理区来形成材料膜。在将该膜从衬底解理的过程中，解理区中的剪切被严密控制，以通过KII或能量传播控制实现受控的传播。根据特定实施例，通过经由暴露于电子束辐射的硅的隔热加来将面内剪切分量(KII)热保持在零附近。根据其他的实施例，表面加热源结合注入层用于通过按解理顺序引导断裂传播。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 受控 传播 转移 | ||
【主权项】：
一种从衬底解理材料膜的方法，该方法包括：提供具有面的衬底以及位于该正面之下一深度处的应力层；在该应力层的邻近区域内发起解理；施加外部能量来以受控的方式来利用该应力层传播解理，其中在该应力层之上的传播受KII因子的支持，但是在能量方面不能被支持，使得该应力层用作对在该深度之下传播的阻挡物。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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