[发明专利]具有载流子寿命的自支撑厚度的单晶材料和方法

摘要

本发明涉及具有载流子寿命的自支撑厚度的单晶材料和方法。一种制造一定厚度的硅材料的方法包括：提供具有表面区域的硅锭材料；和将具有大约1-5MeV能量的多个粒子穿过表面区域引入到一深度处，以定义解理区域以及在解理区域和表面区域之间的可分离材料的厚度。另外，该方法包括：处理硅锭材料以在解理区域的附近释放该厚度的可解理材料；和使得形成自支撑厚度的材料，该自支撑厚度的材料特征在于大约10微秒的载流子寿命和具有小于大约百分之五的厚度变化的范围从大约20微米到大约150微米的厚度。另外，该方法包括使用热处理工艺处理该自支撑厚度的材料以将载流子寿命恢复到大于大约200微秒和更大。

主权项

一种制造一定厚度的硅材料的方法，该方法包括：提供具有表面区域的硅锭材料；将具有大约1-5MeV和更大能量的多个粒子穿过表面区域引入到一深度，以定义解理区域和在解理区域和表面区域之间的可分离材料的厚度；处理硅锭材料以在解理区域的附近释放该厚度的可分离材料；使形成以大约10微秒和更小的载流子寿命为特征的自支撑厚度的材料，第一厚度范围从大约20微米到大约150微米且总厚度变化小于大约百分之五；至少利用蚀刻工艺处理自支撑厚度的材料；和对自支撑厚度的材料执行热/钝化处理以将载流子寿命恢复到大于大约200微秒。