[发明专利]用于SPU和STOG良好性能的功率晶体管的布局和焊盘布图规划有效

专利信息
申请号: 200910253051.4 申请日: 2009-09-30
公开(公告)号: CN102034823A 公开(公告)日: 2011-04-27
发明(设计)人: 杨梅;钟国华 申请(专利权)人: 意法半导体研发(深圳)有限公司
主分类号: H01L27/092 分类号: H01L27/092;H01L23/485;H03F3/217
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 518057 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种用于SPU和STOG良好性能的功率晶体管的布局和焊盘布图规划。设计一种用于音频应用中的功率晶体管以使热点最小化。热点由不均匀的功率耗散或过于集中的电流密度而产生。源极焊盘和漏极焊盘相对于彼此而布置以利于均匀的功率耗散。交错的金属指状物和上金属层被直接连接到下金属层,而无需过孔,从而改善电流密度分布。这种布局使一些故障检测测试改善17%。
搜索关键词: 用于 spu stog 良好 性能 功率 晶体管 布局 焊盘布图 规划
【主权项】:
一种晶体管布局,包括:第一源极焊盘;第一漏极焊盘,其布置为与源极平行,以利于均匀的功率耗散;第一源极金属基座,其与所述第一源极焊盘耦合,其中所述第一源极金属基座的第一侧包括金属指状物;第一漏极金属基座,其与所述第一漏极焊盘耦合,其中邻接所述第一源极的一侧包括从所述第一漏极金属基座突出的金属指状物,所述第一漏极金属基座的金属指状物与所述第一源极金属基座的第一侧的金属指状物相交错。
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