[发明专利]凹形沟道阵列晶体管、半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了凹形沟道阵列晶体管、半导体器件及其制造方法。凹形沟道阵列晶体管可以包括衬底、栅极氧化层、栅极电极和源极/漏极区。衬底可以具有有源区和隔离区。凹槽可以形成在有源区中。栅极氧化层可以形成在凹槽和衬底上。栅极氧化层可以包括第一部分和在凹槽的侧表面上的第二部分，该第一部分在凹槽的侧端与有源区的侧壁之间的相交处上。第一部分的厚度可以大于第二部分的厚度的约70％。栅极电极可以形成在栅极氧化层上。源极/漏极区可以形成在衬底中。因此，凹形沟道阵列晶体管可以具有减小的泄漏电流和增大的导通电流。

主权项

一种凹形沟道阵列晶体管，包括：衬底，具有有源区和隔离区，所述有源区包括凹槽；栅极氧化层，形成在所述凹槽的内表面和所述衬底的上表面上，所述栅极氧化层包括在所述凹槽的侧端和有源区的侧壁之间的相交处上的第一部分以及在所述凹槽的侧表面上的第二部分，所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度的约70％；栅极电极，形成在所述栅极氧化层上以及所述凹槽中；以及源极/漏极区，形成在所述栅极电极两侧的所述衬底的上表面中。