[发明专利]线形离子阱分析器

摘要

本发明涉及一种线形离子阱分析器，包括由多个柱面电极围成的离子囚禁空间，至少一部分柱面电极上施加有高频电压，以在该囚禁空间中产生以二维四极场为主的径向囚禁电场。并且，至少在离子阱的一个垂直于该中心轴的方向上设有离子引出槽，并在这一方向上叠加用于偶极激发的交变电场。在与该离子引出槽正对的一柱面电极内之狭缝中，或者两个柱面电极的间隔中设置条形的场调节电极。该场调节电极上的电压设置为该邻近柱面电极上的高频电压之全部或一部分与一直流电压之和，且该直流电压的大小可根据需要调节。通过场调节电极的设置和直流电压调节，可实现包括优化线形离子阱内的场形、影响共振激发出射时离子运动特性的一个或多个目标。

主权项

一种线形离子阱分析器，包括由多个柱面电极围成的离子囚禁空间，所述柱面电极的柱面的母线平行于囚禁空间的中心轴，至少一部分柱面电极上施加有高频电压，以在该囚禁空间中产生以二维四极场为主的径向囚禁电场；至少在离子阱的一个垂直于该中心轴的方向上设有离子引出槽，并在所述方向上叠加用于偶极激发的交变电场；其中，在与该离子引出槽正对的一柱面电极内之狭缝中或者两个柱面电极的间隔中设有条形的场调节电极，该场调节电极上的电压为邻近柱面电极上的高频电压之至少一部分与一直流电压之和，且该直流电压的大小可调节。