[发明专利]钨膜的形成方法

摘要

本发明提供一种钨膜的形成方法，用于在处理容器内的被处理体上形成钨膜。该钨膜形成方法包括：向处理容器中供给SiH4气体的初始化工序；交替重复进行向处理容器中供给WF6气体的步骤和向处理容器中供给B2H6气体的步骤，并在两步骤之间插入向处理容器中供给惰性气体的清扫步骤，在被处理体的表面形成第一钨膜的第一钨膜形成工序；和向处理容器中同时供给WF6气体和H2气体，在第一钨膜上形成第二钨膜的第二钨膜形成工序；其中，在清扫步骤期间，设置停止惰性气体的供给、对处理容器进行真空排气的时间，使第一钨膜成为无定形体状态，由此增大第二钨膜的颗粒尺寸。

主权项

一种钨膜的形成方法，用于在处理容器内的被处理体上形成钨膜，其特征在于，包括：向所述处理容器中供给SiH4气体的初始化工序；交替重复进行向所述处理容器中供给WF6气体的步骤和向所述处理容器中供给B2H6气体的步骤，并在两步骤之间插入向所述处理容器中供给惰性气体的清扫步骤，在所述被处理体的表面形成第一钨膜的第一钨膜形成工序；和向所述处理容器中同时供给WF6气体和H2气体，在所述第一钨膜上形成第二钨膜的第二钨膜形成工序；在所述清扫步骤期间，设置停止所述惰性气体的供给、对所述处理容器进行真空排气的时间，使所述第一钨膜成为无定形体状态，由此增大所述第二钨膜的颗粒尺寸。