[发明专利]半导体晶片、半导体芯片及处理晶片的方法和设备无效
| 申请号： | 200910253465.7 | 申请日： | 2009-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN101752246A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 具泰亨;崔三宗;金泰成;曹圭彻;崔埈荣;金熹声;金娟淑 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L27/00;H01L27/04;H01L25/00;H01L31/042 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了半导体晶片、半导体芯片及处理晶片的方法和设备。处理半导体晶片的方法包括：将晶片预加热到低于峰值温度的预热温度；以平均约每秒100℃或更高的第一变温速率将晶片从预热温度加热到峰值温度；以及在将晶片从预热温度加热到峰值温度之后，立即以平均每秒约-70℃或更高的第二变温速率将晶片从峰值温度冷却到预热温度，其中峰值温度为约1100℃或更高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 芯片 处理 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种处理半导体晶片的方法，包括：将所述晶片预加热到低于峰值温度的预热温度；以平均每秒约100℃或更高的第一变温速率将所述晶片从所述预热温度加热到所述峰值温度；以及在将所述晶片从所述预热温度加热到所述峰值温度之后，立即以平均每秒约-70℃或更高的第二变温速率将所述晶片从所述峰值温度冷却到所述预热温度，其中所述峰值温度为约1100℃或更高。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910253465.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种吲达帕胺控释片及其制备方法
- 下一篇：起动装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
