[发明专利]浅沟槽隔离方法无效
| 申请号： | 200910253641.7 | 申请日： | 2009-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102087990A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 余心梅;邵永军;赵志勇;张明敏 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种浅沟槽隔离方法，包括：提供衬底；所述衬底上依次形成有衬垫氧化层，氮化硅层；所述衬垫氧化层和氮化硅层内形成有暴露衬底的开口；对所述沟槽暴露出来的衬底进行氧化，形成扩散氧化层；去除所述扩散氧化层，形成第一沟槽；以所述氮化硅层为掩膜，刻蚀所述衬底，形成第二沟槽；在所述氮化硅层表面形成填充所述开口、第一沟槽和第二沟槽的填充氧化层；去除部分填充氧化层直至暴露出氮化硅层；去除所述氮化硅层和衬垫氧化层。本发明提供的浅沟槽隔离方法形成的浅沟槽具有弧度顶部拐角，提高了浅沟槽的隔离效果。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽隔离方法，其特征在于，包括：提供衬底；所述衬底上依次形成有衬垫氧化层，氮化硅层；所述衬垫氧化层和氮化硅层内形成有暴露衬底的开口；对所述沟槽暴露出来的衬底进行氧化，形成扩散氧化层；去除所述扩散氧化层，形成第一沟槽；以所述氮化硅层为掩膜，刻蚀所述衬底，形成第二沟槽；在所述氮化硅层表面形成填充所述开口、第一沟槽和第二沟槽的填充氧化层；去除部分填充氧化层直至暴露出氮化硅层；去除所述氮化硅层和衬垫氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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