[发明专利]α屏蔽技术和结构有效
| 申请号： | 200910253962.7 | 申请日： | 2009-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN101866896A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 纳尔逊·塔姆;艾伯特·吴;卫健群 | 申请（专利权）人： | 马维尔国际贸易有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/498;H01L23/556;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 宋鹤;南霆 |
| 地址： | 巴巴多斯*** | 国省代码： | 巴巴多斯;BB |
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| 摘要： | 本发明涉及α屏蔽技术和结构。本发明内容的实施方式提供了一种装置，其包括：半导体芯片，其具有多个集成电路器件；焊盘结构，其通过互连层电耦合到多个集成电路器件中的至少一个集成电路器件；电绝缘层，其布置在互连层上；第一屏蔽结构，其布置在电绝缘层中并且电耦合到焊盘结构；球下金属化(UBM)结构，其电耦合到第一屏蔽结构；以及焊料凸点，其电耦合到UBM结构，焊料凸点包括能够发射α粒子的焊料凸点材料，其中，第一屏蔽结构位于焊料凸点和多个集成电路器件之间，以保护多个集成电路器件不受α粒子影响。可描述和/或主张其它实施方式。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 技术 结构 | ||
【主权项】：
一种装置，其包括：半导体芯片，其具有多个集成电路器件；焊盘结构，其通过互连层电耦合到所述多个集成电路器件中的至少一个集成电路器件；电绝缘层，其布置在所述互连层上；第一屏蔽结构，其布置在所述电绝缘层中并且电耦合到所述焊盘结构；球下金属化(UBM)结构，其电耦合到所述第一屏蔽结构；以及焊料凸点，其电耦合到所述UBM结构，所述焊料凸点包括能够发射α粒子的焊料凸点材料，其中，所述第一屏蔽结构位于所述焊料凸点和所述多个集成电路器件之间，以保护所述多个集成电路器件不受α粒子影响。
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