[发明专利]半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 200910254216.X 申请日: 2009-12-10
公开(公告)号: CN101752280A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 小田高司;森田成纪;吉田直子 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L21/768;H01L21/48
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 李贵亮
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体装置的制造方法。将具有能够与半导体元件(3)的电极(31)连接的连接用导体部(21)的布线电路层(2),在金属制支撑基板(1)上以能够从该基板(1)剥离的方式并且连接用导体部(21)露出于该布线电路层上面的方式形成,在将该布线电路层(2)在晶片状态的元件(3)上层叠,并将连接用导体部(21)与电极(31)进行连接之后,将所述支撑基板(1)从布线电路层(2)剥离,并切割晶片而获得各个半导体装置。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置的制造方法,该半导体装置具有将半导体元件与布线电路层层叠的结构,所述制造方法具有:在金属制支撑基板上,以能够从该基板剥离并且连接用导体部露出于该布线电路层的上面的方式形成具有能够连接于半导体元件的电极的连接用导体部的布线电路层的工序;将所述布线电路层层叠于晶片状态的半导体元件,并连接该布线电路层的连接用导体部与半导体元件的电极的工序;和所述连接之后将金属制支撑基板从布线电路层剥离的工序。
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