[发明专利]太阳能薄膜电池及其制作方法无效

专利信息
申请号: 200910254351.4 申请日: 2009-12-11
公开(公告)号: CN102097498A 公开(公告)日: 2011-06-15
发明(设计)人: 杨国玺;李春生;赖政志;游萃蓉 申请(专利权)人: 英属开曼群岛商精曜有限公司
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042;H01L31/028;H01L31/18
代理公司: 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 代理人: 林建军
地址: 英属开曼群岛大盖曼省*** 国省代码: 开曼群岛;KY
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摘要: 一种太阳能薄膜电池,包括一第一基板、一第二基板、一本征半导体层、一N型掺杂半导体层,以及一P型掺杂多晶钻石层,第二基板与所述第一基板相对设置,本征半导体层设置于所述第一基板与所述第二基板之间,N型掺杂半导体层设置于所述本征半导体层与所述第二基板之间,P型掺杂多晶钻石层设置于所述第一基板与所述本征半导体层之间。本发明在太阳能薄膜电池内设置P型掺杂多晶钻石层,并利用P型掺杂多晶钻石层的高能隙特性来增加内建电场,由此提升太阳能薄膜电池的输出功率。
搜索关键词: 太阳能 薄膜 电池 及其 制作方法
【主权项】:
一种太阳能薄膜电池,其特征在于:包括一第一基板;一第二基板,与所述第一基板相对设置;一本征半导体层,设置于所述第一基板与所述第二基板之间;一N型掺杂半导体层,设置于所述本征半导体层与所述第二基板之间;以及一P型掺杂多晶钻石层,设置于所述第一基板与所述本征半导体层之间。
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