[发明专利]太阳能薄膜电池及其制作方法无效
申请号: | 200910254351.4 | 申请日: | 2009-12-11 |
公开(公告)号: | CN102097498A | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
发明(设计)人: | 杨国玺;李春生;赖政志;游萃蓉 | 申请(专利权)人: | 英属开曼群岛商精曜有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/028;H01L31/18 |
代理公司: | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人: | 林建军 |
地址: | 英属开曼群岛大盖曼省*** | 国省代码: | 开曼群岛;KY |
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摘要: | 一种太阳能薄膜电池,包括一第一基板、一第二基板、一本征半导体层、一N型掺杂半导体层,以及一P型掺杂多晶钻石层,第二基板与所述第一基板相对设置,本征半导体层设置于所述第一基板与所述第二基板之间,N型掺杂半导体层设置于所述本征半导体层与所述第二基板之间,P型掺杂多晶钻石层设置于所述第一基板与所述本征半导体层之间。本发明在太阳能薄膜电池内设置P型掺杂多晶钻石层,并利用P型掺杂多晶钻石层的高能隙特性来增加内建电场,由此提升太阳能薄膜电池的输出功率。 | ||
搜索关键词: | 太阳能 薄膜 电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能薄膜电池,其特征在于:包括一第一基板;一第二基板,与所述第一基板相对设置;一本征半导体层,设置于所述第一基板与所述第二基板之间;一N型掺杂半导体层,设置于所述本征半导体层与所述第二基板之间;以及一P型掺杂多晶钻石层,设置于所述第一基板与所述本征半导体层之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的