[发明专利]用于计算高压耗尽电容器的电容的方法无效
| 申请号： | 200910254356.7 | 申请日： | 2009-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN101769965A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 郭尚勋 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/26 | 分类号： | G01R27/26 |
| 代理公司： | 北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 11134 | 代理人： | 宋子良;阮伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明披露了一种用于计算高压耗尽电容器的电容的方法。一种用于计算高压耗尽电容器的电容的方法包括：测量根据栅极电压所得的高压耗尽电容器的电容值，以将所测量的电容值存储在数据存储器中，其中，所述高压耗尽电容器具有MOS变容二极管结构；基于存储在所述数据存储器中的所述测量的电容值，建立包括多个参数的多项式型数学模型；通过使用所测量的电容值和建立的多项式型数学模型来计算参数；以及通过使用建立的多项式型数学模型和计算的参数来计算高压耗尽电容器的电容。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 计算 高压 耗尽 电容器 电容 方法 | ||
【主权项】：
一种用于计算高压耗尽电容器的电容的方法，包括：测量根据栅极电压所得的高压耗尽电容器的电容值，以将所测量的电容值存储在数据存储器中，其中，所述高压耗尽电容器具有MOS变容二极管结构；基于存储在所述数据存储器中的所述测量的电容值，建立包括多个参数的多项式型数学模型；通过使用所述测量的电容值和所述建立的多项式型数学模型来计算所述参数；以及通过使用所述建立的多项式型数学模型和所述计算的参数来计算所述高压耗尽电容器的电容。
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