[发明专利]碲锌镉像素探测器电极的钝化方法

摘要

本发明公开了一种碲锌镉像素探测器电极的钝化方法，用于对碲锌镉像素探测器电极进行钝化，降低漏电流。所述方法首先采用CdZnTe晶体，进行线切割，研磨、机械抛光、清洗后在2％Br-MeOH中化学抛光，得到待用的CdZnTe晶片。然后将经机械抛光和化学抛光的CdZnTe晶片通过清洗、涂胶、烘干、曝光、显影、真空蒸镀电极和剥离等工艺，制备出像素探测器电极；然后放入RIE-3型反应离子刻蚀机中抽真空，真空度为0.3333～0.3999Pa；调节氧气流量为70～80cm3/min；调节工作气压为0.5～1.0Pa；调节射频功率为8～12W；刻蚀时间为35～50min。通过上述步骤CdZnTe像素探测器电极间的CdZnTe表面生成致密氧化物薄膜，漏电流减小了一个数量级，达到了钝化目的。

主权项

一种碲锌镉像素探测器电极表面的钝化方法，其特征在于包括下述步骤：(a)对CdZnTe晶体进行线切割，研磨、机械抛光，清洗后在2～4％Br-MeOH中化学抛光，得到CdZnTe晶片；(b)将经机械抛光和化学抛光的CdZnTe晶片通过清洗、涂胶、烘干、曝光、显影、真空蒸镀电极和剥离工艺，制备出像素探测器电极；(c)将像素探测器电极放入RIE-3型反应离子刻蚀机中抽真空，真空度为0.3333～0.3999Pa，调节氧气流量为70～80cm3/min，调节工作气压为0.5～1.0Pa，调节射频功率为8～12W，刻蚀时间为35～50min，完成刻蚀。