[发明专利]非易失性存储器件的存取方法有效
| 申请号： | 200910258375.7 | 申请日： | 2009-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN101847439A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 柳汉雄;赵庆来;宋承桓;殷熙锡;孙弘乐 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/34;G11C16/26;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 钱大勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种非易失性存储器件的存取方法，包括：检测第一存储单元的阈值电压变化，所述第一存储单元的阈值电压变化能够物理地影响第二存储单元；以及根据所述第一存储单元的阈值电压变化的间距，向所述第二存储单元分配从多个子分布当中选择的一个子分布，所述多个子分布对应于所述第二存储单元的目标分布。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 存取 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器件的存取方法，包括：检测第一存储单元的阈值电压变化，所述第一存储单元的阈值电压变化能够物理地影响第二存储单元；以及根据所述第一存储单元的阈值电压变化的间距，将所述第二存储单元分配到从多个子分布当中选择的一个子分布，所述多个子分布对应于所述第二存储单元的目标分布。
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