[发明专利]形成半导体器件的精细图案的方法

摘要

本发明提供一种形成半导体器件的精细图案的方法。该方法包括：在衬底上形成多个第一掩模图案，使得多个第一掩模图案在平行于衬底的主表面的方向上由位于其间的空间彼此分隔开；在多个第一掩模图案的侧壁和顶表面形成多个盖膜，该盖膜由在溶剂中具有第一溶解度的第一材料形成。该方法还包括形成由在该溶剂中具有第二溶解度的第二材料形成的第二掩模层，以填充位于多个第一掩模图案之间的空间，其中第二溶解度小于第一溶解度；以及形成与所述第二掩模层的剩余部分相对应的多个第二掩模图案，其中所述第二掩模层的剩余部分是在利用溶剂去除多个盖膜和一部分第二掩模层之后保留在位于多个第一掩模图案之间的空间中的部分。

主权项

一种形成半导体器件的精细图案的方法，该方法包括：在衬底上形成多个第一掩模图案，使得所述多个第一掩模图案沿平行于所述衬底的主表面的方向由位于其间的空间彼此分隔开；在所述多个第一掩模图案的侧壁和顶表面上形成多个盖膜，所述多个盖膜由在溶剂中具有第一溶解度的第一材料形成；形成由在所述溶剂中具有第二溶解度的第二材料形成的第二掩模层，以便填充位于所述多个第一掩模图案之间的所述空间，其中所述第二溶解度小于所述第一溶解度；以及形成多个第二掩模图案，所述多个第二掩模图案对应于所述第二掩模层的剩余部分，所述第二掩模层的所述剩余部分是在用所述溶剂去除所述多个盖膜和一部分所述第二掩模层之后保留在位于所述多个第一掩模图案之间的所述空间中的部分。