[发明专利]扩大记忆胞操作区间的方法及应用其的非挥发记忆体阵列有效
| 申请号： | 200910258807.4 | 申请日： | 2009-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101833993A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 陈柏舟;杨怡箴;林慧芝;张耀文 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种扩大记忆胞操作区间的方法及应用其的非挥发记忆体阵列，是在虚拟接地(ground)电荷捕捉记忆体EEPROM阵列中，扩大其电荷捕捉记忆胞的程序化区间的方法。该方法可实质上消除第二位元效应，同时将干扰程序化至相邻的电荷储存记忆胞中。 | ||
| 搜索关键词： | 扩大 记忆 操作 区间 方法 应用 挥发 记忆体 阵列 | ||
【主权项】：
一种扩大电荷捕捉记忆胞的程序化区间的方法，其特征在于包含：提供具有多个电荷捕捉记忆胞的一阵列，该阵列包含多个电荷捕捉记忆胞横列；指定该阵列中的一横列；指定该指定横列中的一第一电荷捕捉记忆胞，该第一电荷捕捉记忆胞具有一第一资料区域与一第二资料区域；依据该第一电荷捕捉记忆胞的该第一资料区域与该第二资料区域，接受一第一程序化指令；当该第一程序化指令下令程序化该第一电荷捕捉记忆胞的该第一资料区域时，程序化该第一电荷捕捉记忆胞的该第一资料区域；以及当该第一程序化指令下令程序化该第一电荷捕捉记忆胞的该第一资料区域以及当该第一程序化指令没有下令程序化该第一电荷捕捉记忆胞的该第二资料区域时，擦除该第一电荷捕捉记忆胞的该第二资料区域。
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