[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法和有机发光二极管显示装置有效
| 申请号： | 200910258921.7 | 申请日： | 2009-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101771086A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 朴炳建;李东炫;李吉远;梁泰勋;徐晋旭;李基龙;安志洙;马克西姆·利萨琴科 | 申请（专利权）人： | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/38;H01L21/336;H01L21/332;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王琦;王珍仙 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管、制造所述薄膜晶体管的方法和包括所述薄膜晶体管的有机发光二极管(OLED)显示装置，所述薄膜晶体管包括：基板；在所述基板上形成的缓冲层；布置在所述缓冲层上的第一半导体层；布置在所述第一半导体层上的第二半导体层，所述第二半导体层大于所述第一半导体层；与所述第一半导体层和所述第二半导体层绝缘的栅极；使所述栅极与所述第一半导体层和所述第二半导体层绝缘的栅绝缘层；与所述栅极绝缘并与所述第二半导体层连接的源极和漏极；布置在所述源极和漏极上的绝缘层，以及与源极和漏极之一连接的有机发光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 有机 发光二极管 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：基板；布置在所述基板上的缓冲层；布置在所述基板上的第一半导体层；直接布置在所述第一半导体层上的第二半导体层，所述第二半导体层具有比所述第一半导体层大的表面积；布置在所述基板上的栅极；布置在所述基板上、位于所述栅极和所述第一、第二半导体层之间的栅绝缘层；和与所述第二半导体层连接的源极和漏极，所述源极和漏极与所述栅极绝缘。
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