[发明专利]薄膜晶体管、其制备方法及有机发光二极管显示设备有效
申请号: | 200910258925.5 | 申请日: | 2009-12-30 |
公开(公告)号: | CN101771087A | 公开(公告)日: | 2010-07-07 |
发明(设计)人: | 李东炫;李基龙;徐晋旭;梁泰勋;马克西姆·利萨琴科;朴炳建;李吉远;郑在琓 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L29/38;H01L21/336;H01L21/322;H01L27/32 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 罗正云;宋志强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种薄膜晶体管、制备该薄膜晶体管的方法以及装备有该薄膜晶体管的有机发光二极管(OLED)显示设备,其中该薄膜晶体管包括:基板、置于所述基板上的缓冲层、置于所述缓冲层上的第一半导体层和第二半导体层、与所述第一半导体层和所述第二半导体层绝缘的栅极电极、将所述栅极电极与所述第一半导体层和所述第二半导体层绝缘的栅极绝缘层、以及与所述栅极电极绝缘并且部分连接到所述第二半导体层的源极和漏极电极,其中所述第二半导体层置于所述第一半导体层上。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 制备 方法 有机 发光二极管 显示 设备 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管,包括:基板;缓冲层,形成于所述基板上;第一半导体层和第二半导体层,置于所述缓冲层上,所述第二半导体层形成于所述第一半导体层上;栅极电极,置于所述基板上并且与所述第一半导体层和所述第二半导体层绝缘;和栅极绝缘层,用于将所述栅极电极与所述第一半导体层和所述第二半导体层绝缘;以及源极电极和漏极电极,与所述栅极电极绝缘并且连接到所述第二半导体层。
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