[发明专利]非易失性半导体存储装置及其读取方法无效
| 申请号： | 200910259012.5 | 申请日： | 2009-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN101847440A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 太田毅 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/26;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 史新宏 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种非易失性半导体存储装置，即使发生FG-FG耦合效应亦能够防止误读取动作出现。非易失性半导体存储装置具有一存储器单元阵列，利用设定不同启始电压来记录至少LSB和MSB两位；以及一控制电路，用以控制对于上述存储器单元阵列进行数据读取的动作。当第一字符线连接的存储器单元进行数据读取时，判断相邻的第二字符线连接的存储器单元是否进行MSB的写入动作。当判断出进行MSB的写入动作时，则将上述第一字符线连接的存储器单元中进行数据读取的位线的预充电电压，降低一既定电压，用以抵消各栅极间的耦合效应所导致的启始电压上升电压部分。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 及其 读取 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性半导体存储装置，具有一非易失性的存储器单元阵列，利用在其各存储器单元中设定多个不同启始电压的方式来记录至少最低有效位LSB和最高有效位MSB两位；以及一控制电路，用以控制对于上述存储器单元阵列进行数据读取的动作，其特征在于：包括一降压装置，当第一字符线所连接的存储器单元进行数据读取时，判断上述第一字符线下一个相邻的第二字符线所连接的存储器单元是否进行MSB的写入动作；当判断出进行MSB的写入动作时，则将上述第一字符线所连接的存储器单元中进行数据读取的位线的预充电电压，降低一既定电压，用以抵消相邻两条字符线所连接的存储器单元中各储存节点间的耦合效应所导致的启始电压上升电压部分。
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