[发明专利]一种导电性复合原子氧防护涂层ITO/MgF2的制备方法有效
| 申请号： | 200910259313.8 | 申请日： | 2009-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101724822A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 李中华;郑阔海;赵琳 | 申请（专利权）人： | 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 张利萍 |
| 地址： | 730000*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种导电性复合原子氧防护涂层ITO/MgF2的制备方法，特别是采用磁控溅射法用复合靶制备ITO/MgF2导电性复合涂层来实现基底材料的原子氧防护，属于航空航天技术领域。用导电胶将MgF2片状材料均匀粘贴在ITO靶上，然后将ITO/MgF2复合靶安装在磁控溅射设备的靶座上，得到了ITO/MgF2导电型复合原子氧防护涂层。ITO/MgF2复合涂层原子氧防护性能良好、有导电性，在空间等离子体环境中不积累静电；ITO/MgF2复合涂层柔韧性好，在用于柔性薄膜等需卷绕表面有明显优势；ITO/MgF2复合涂层对光线有增透作用，用于一些光学器件可提高工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电性 复合 原子 防护 涂层 ito mgf sub 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种导电性复合原子氧防护涂层ITO/MgF2的制备方法，其特征在于：(1)制备圆形ITO靶，其中In2O3的摩尔百分含量为91％、SnO2的摩尔百分含量为9％；(2)制备与ITO靶同直径、扇形的MgF2片状材料；(3)用导电胶将MgF2片状材料均匀粘贴在ITO靶上；(4)将(3)制备的ITO/MgF2复合靶安装在磁控溅射设备的靶座上，磁控溅射设备抽真空至2×10-3Pa，然后通入Ar气，开启磁控溅射靶电源，靶面产生辉光放电，Ar离子流对ITO/MgF2靶进行轰击，从靶面溅射出ITO和MgF2，沉积在涂层基底上，得到ITO/MgF2导电型复合原子氧防护涂层；(5)对沉积的ITO/MgF2涂层进行真空热处理，真空度为2×10-2Pa，温度为200℃，处理时间为60min。
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