[发明专利]开关控制电路有效
| 申请号： | 200910259423.4 | 申请日： | 2009-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101753021A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 小林洋介;福士岩 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
| 主分类号： | H02M3/155 | 分类号： | H02M3/155 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 11277 | 代理人： | 刘新宇;王璐 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种开关控制电路，该开关控制电路具备：N沟道MOSFET，于输入电极施加输入电压，而输出电极连接于一端与第1电容连接的电感的另一端及整流元件的一端；自举电路，用以使一端与N沟道MOSFET的输出电极连接的第2电容产生为使N沟道MOSFET导通时所需的自举电压；驱动电路，接受与自举电压对应的驱动电压的施加，且使N沟道MOSFET导通与断开以使第1电容产生目的电平的输出电压；及钳位电路，用以将驱动电压钳位于既定电平以下。本发明具有施加输入电压的端子与施加自举电压的端子短路时的保护功能。 | ||
| 搜索关键词： | 开关 控制电路 | ||
【主权项】：
一种开关控制电路，其特征在于，具备：N沟道MOSFET，于输入电极施加输入电压，而输出电极连接于一端与第1电容连接的电感的另一端及整流元件的一端；自举电路，用以使一端与所述N沟道MOSFET的所述输出电极连接的第2电容产生为使所述N沟道MOSFET导通时所需的自举电压；驱动电路，接受与所述自举电压对应的驱动电压的施加，且使所述N沟道MOSFET导通/断开以使所述第1电容产生目的电平的输出电压；及钳位电路，用以将所述驱动电压钳位于既定电平以下。
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