[发明专利]取向不敏感式超宽带耦合电容器及其制造方法无效
| 申请号： | 200910259754.8 | 申请日： | 2005-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN101714454A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 约翰·姆鲁兹 | 申请（专利权）人： | 美国技术陶瓷公司 |
| 主分类号： | H01G4/00 | 分类号： | H01G4/00;H01G4/005;H01G4/248;H01P1/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郑小粤 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种取向不敏感式超宽带耦合电容器。取向不敏感式超宽带耦合电容器包含多个外表面、一个低频部分和一个高频部分。高频部分在低频部分上布置并与之电气连接，使这种取向不敏感式超宽带耦合电容器安装在多个外表面中的任何一个外部纵向表面上时都能以相同方式工作，从而可以很容易地实现SMT兼容，而不需要采用专门的定向步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 取向 敏感 宽带 耦合 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电子元件，包含：a)射频元件；和b)一对低损耗导体；其中，每个所述低损耗导体对均在四面上环绕所述射频元件，并在其余两面上与所述射频元件共终端连接。
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