[发明专利]用于浸渍光刻技术的组合物和工艺有效
申请号: | 200910261590.2 | 申请日: | 2005-07-04 |
公开(公告)号: | CN101788763A | 公开(公告)日: | 2010-07-28 |
发明(设计)人: | M·K·加拉赫;G·B·韦顿;G·P·普罗科波维奇;S·A·罗伯特森 | 申请(专利权)人: | 罗门哈斯电子材料有限公司 |
主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈哲锋 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及一种用于处理光刻胶组合物的方法,它包括:(a)将光刻胶组合物涂覆在基材上;(b)在该光刻胶组合物上涂覆有机阻挡组合物层;(c)在单独的步骤中,热处理所涂覆的光刻胶组合物和阻挡层组合物,以从所涂覆的光刻胶组合物和阻挡层组合物中除去溶剂,其中在涂覆所述阻挡层组合物之前,并不通过热处理除去所述光刻胶组合物的溶剂;和(d)将该光刻胶层浸渍曝光于活化辐射中。本发明主要涉及浸渍光刻技术的新材料和工艺。 | ||
搜索关键词: | 用于 浸渍 光刻 技术 组合 工艺 | ||
【主权项】:
一种用于处理光刻胶组合物的方法,它包括:(a)将光刻胶组合物涂覆在基材上;(b)在该光刻胶组合物上涂覆有机阻挡组合物层;(c)在单独的步骤中,热处理所涂覆的光刻胶组合物和阻挡层组合物,以从所涂覆的光刻胶组合物和阻挡层组合物中除去溶剂,其中在涂覆所述阻挡层组合物之前,并不通过热处理除去所述光刻胶组合物的溶剂;和(d)将该光刻胶层浸渍曝光于活化辐射中。
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