[发明专利]包括能够防止熔断火花的熔断电路的集成电路无效
| 申请号： | 200910261765.X | 申请日： | 2009-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN101771033A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 朴成旼;方锡勋 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/525;H01L23/58;H02H3/08;H02H9/02 |
| 代理公司： | 北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 11134 | 代理人： | 宋子良;阮伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明披露了一种集成电路。该集成电路包括：第一内部电路，包括至少一个第一半导体器件；第二内部电路，包括至少一个第二半导体器件；以及熔断电路，连接在第一内部电路与第二内部电路之间，执行熔断操作，用于通过熔断电压将第一内部电路从第二内部电路电断开，其中，熔断电路使得在熔断操作过程中产生的熔断电流侧流到接地电源，以使火花电流不流入第一内部电路和第二内部电路。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 能够 防止 熔断 火花 电路 集成电路 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：第一内部电路，包括至少一个第一半导体器件；第二内部电路，包括至少一个第二半导体器件；以及熔断电路，连接在所述第一内部电路与所述第二内部电路之间，执行熔断操作，以通过熔断电压将所述第一内部电路从所述第二内部电路电断开，其中所述熔断电路使得在所述熔断操作过程中产生的熔断电流侧流到接地电源，以使得所述火花电流不流入所述第一内部电路和所述第二内部电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
