[发明专利]单栅极结构的半导体存储器

摘要

一种单栅极半导体存储器包括：高电势阱，位于半导体衬底的上部上；第一阱，位于高电势第二导电型阱的上部上；第二阱，在高电势阱的上部上与第一阱间隔开并穿过高电势阱；浮置栅极，位于第一阱和第二阱上；第一离子注入区，位于浮置栅极的一侧上的第一阱中；第二离子注入区，位于浮置栅极的另一侧上的第一阱中；第一互补离子注入区，位于靠近第二离子注入区的第一阱中；第三离子注入区，位于浮置栅极的一侧上的第二阱中；以及第二互补离子注入区，位于浮置栅极的另一侧上的第二阱中。

主权项

一种半导体存储器，包括：高电势阱，位于半导体衬底的上部上；第一阱，位于所述高电势阱的上部上，所述第一阱具有第一导电型；第二阱，在所述高电势阱的上部上与所述第一阱间隔开并穿过所述高电势阱，所述第二阱具有第一导电型；浮置栅极，位于所述第一阱和所述第二阱上，所述浮置栅极具有第一导电型；第一离子注入区，位于所述浮置栅极的一侧上的第一阱中，所述第一离子注入区具有第二导电型；第二离子注入区，位于所述浮置栅极的另一侧上的第一阱区中，所述第二离子注入区具有第二导电型；第一互补离子注入区，位于靠近所述第二离子注入区的第一阱中，所述第一互补离子注入区具有第一导电型；第三离子注入区，位于所述浮置栅极的一侧上的第二阱区中，所述第三离子注入区具有第二导电型；以及第二互补离子注入区，位于所述浮置栅极的另一侧上的第二阱区中。