[发明专利]非易失性半导体存储装置有效
| 申请号： | 200910262438.6 | 申请日： | 2009-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101763898A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 古山孝昭 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/24 | 分类号： | G11C16/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 史新宏 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的非易失性半导体存储装置用以控制芯片尺寸的增加并防止相邻总位线GBL间电容容量所导致的误读，包括：非易失性的存储单元阵列，通过对串接于所选位线两端的选择栅极晶体管间的每一存储单元晶体管设定启始电压，用以记录数据；及控制电路11，经由与多条位线共同连接的总位线，用以从上述存储单元晶体管控制读取位线及数据，其中，于上述总位线中的一位置，利用接地晶体管23来连接总位线及既定电源线。上述接地晶体管23邻接于进行数据读取的总位线，且连接于未进行数据读取的总位线，是由上述控制电路11开启。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种非易失性半导体存储装置，包括：非易失性的存储单元阵列，通过对每一存储单元晶体管设定启始电压，用以记录数据，其中，每一存储单元晶体管串接于所选位线两端的选择栅极晶体管间；及控制电路，经由与多条位线共同连接的总位线，用以从上述存储单元晶体管控制读取位线及数据，其特征在于，于上述总位线中的一位置，利用开关元件来连接总位线及既定电源线。
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