[发明专利]半导体设备及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体设备及其制造方法。目的是在不降低诸如有源矩阵显示设备的半导体设备中的晶体管的驱动能力的情况下减小寄生电容的电容值。此外，另一目的是以低成本提供一种其中寄生电容的电容值被减小的半导体设备。在由与晶体管的栅极电极相同的材料层形成的布线与由与源极电极或漏极电极相同的材料层形成的布线之间提供除栅极绝缘层之外的绝缘层。

主权项

一种用于制造半导体设备的方法，包括如下步骤：在衬底之上形成第一导电层；在所述第一导电层之上选择性地形成具有多个厚度的抗蚀剂掩模；通过使用所述抗蚀剂掩模来刻蚀第一导电层以形成栅极电极和第一布线；去除所述栅极电极之上的抗蚀剂掩模并留下所述第一布线之上的抗蚀剂掩模的部分；形成栅极绝缘层以覆盖所述栅极电极、所述第一布线以及所述抗蚀剂掩模；在所述栅极绝缘层之上形成第二导电层；选择性地刻蚀所述第二导电层以形成源极电极和漏极电极，并形成与所述第一布线重叠的第二布线；以及形成半导体层，其在与所述栅极电极重叠的区域中与所述源极电极和漏极电极接触。