[发明专利]线内真空处理设备及控制方法以及信息记录介质制造方法有效
申请号: | 200910262659.3 | 申请日: | 2009-12-25 |
公开(公告)号: | CN101768732A | 公开(公告)日: | 2010-07-07 |
发明(设计)人: | 川田真弘 | 申请(专利权)人: | 佳能安内华股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;G11B5/84 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 刘倜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及线内真空处理设备及其控制方法,以及信息记录介质制造方法。该线内真空处理设备,包括沉积单元、工艺执行单元、确定单元以及控制单元。沉积单元使第一沉积腔室和第二沉积腔室中的一个沉积腔室执行沉积工艺。工艺执行单元使另一沉积腔室执行对于沉积工艺必要的工艺。确定单元测量一个沉积腔室中处理的基板的数目,并确定是否该第一批次中所包括的所有基板都已经受所述沉积工艺。控制单元基于来自所述确定单元的确定结果切换要在所述第一沉积腔室和第二沉积腔室每一个中执行的工艺。 | ||
搜索关键词: | 真空 处理 设备 控制 方法 以及 信息 记录 介质 制造 | ||
【主权项】:
一种包括第一沉积腔室和第二沉积腔室的线内真空处理设备,其包括:沉积单元,其被配置来使所述第一沉积腔室和所述第二沉积腔室中的一个沉积腔室执行沉积工艺,以便在同一沉积腔室中对第一批次中所包括的一组多个基板进行所述沉积工艺;工艺执行单元,其被配置来使其中未在进行所述沉积工艺的另一沉积腔室在所述的一个沉积腔室在执行所述沉积工艺的同时执行对于所述沉积工艺必要的工艺;确定单元,其被配置来测量所述的一个沉积腔室中处理的基板的数目,并确定是否该第一批次中所包括的所有基板都已经受所述沉积工艺;以及控制单元,其被配置来基于来自所述确定单元的确定结果切换要在所述第一沉积腔室和所述第二沉积腔室每一个中执行的工艺,以便使所述另一沉积腔室执行所述沉积工艺而使所述的一个沉积腔室执行所述对于所述沉积工艺必要的工艺。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的