[发明专利]P型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管有效
| 申请号： | 200910263299.9 | 申请日： | 2009-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101777581A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 孙伟锋;孙大鹰;徐申;钱钦松;陈越政;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 黄雪兰 |
| 地址： | 214135江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种P型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有超结结构及N型体区，超结结构由连接源漏区方向相间分布的P型区和N型区构成，在N型体区上方设有P型源区、N型体接触区及栅氧化层，在超结结构的上方设有P型漏区，在超结结构上方，且位于P型漏区以外的区域设有第一型场氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在P型源区、N型体接触区、P型漏区、多晶硅栅和第一型场氧化层上方设有第二型场氧化层，P型源区、P型漏区、N型体接触区及多晶硅栅均接有穿通第二型场氧化层的金属引线，其特征在于在N型衬底内设有P型缓冲区，P型缓冲区位于超结结构中N型区的下方，且与超结结构中N型区底部相接。 | ||
| 搜索关键词： | 型超结 横向 扩散 半导体 金属 氧化物 晶体管 | ||
【主权项】：
一种P型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管，包括：N型衬底(1)，在N型衬底(1)上设有超结结构及N型体区(2)，超结结构由连接源漏区方向相间分布的P型区(11)和N型区(12)构成，在N型体区(2)上方设有P型源区(4)、N型体接触区(5)及栅氧化层(3)，在超结结构的上方设有P型漏区(14)，在超结结构上方，且位于P型漏区(14)以外的区域设有第一型场氧化层(10)，在栅氧化层(3)上方设有多晶硅栅(6)，在P型源区(4)、N型体接触区(5)、P型漏区(14)、多晶硅栅(6)和第一型场氧化层(10)上方设有第二型场氧化层(8)，P型源区(4)、P型漏区(14)、N型体接触区(5)及多晶硅栅(6)均接有穿通第二型场氧化层(8)的金属引线，其特征在于在N型衬底(1)内设有P型缓冲区(15)，P型缓冲区(15)位于超结结构中N型区(12)的下方，且与超结结构中N型区(12)底部相接。
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