[发明专利]散热界面材料的制备方法、使用方法及制备装置无效

专利信息
申请号: 200910263392.X 申请日: 2009-12-18
公开(公告)号: CN101747870A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 尚金堂;张迪;陈波寅;徐超;黄庆安 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: C09K5/06 分类号: C09K5/06;H01L23/373
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 张惠忠
地址: 214135 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开一种散热界面材料的制备方法,包括以下步骤:第一步,在生长片上制备定向排列的碳纳米管阵列,第二步,在碳纳米管的自由端部先后沉积金属浸润层和金属过渡层,第三步,转移碳纳米管阵列,使得碳纳米管阵列与生长片接触的生长片端面暴露出来,第四步,在碳纳米管阵列生长片端面沉积与前述相同的金属浸润层和金属过渡层,从而得到两个端面均沉积金属的碳纳米管阵列,第五步,在碳纳米管阵列之间填充低熔点金属,且使碳纳米管阵列填充于低熔点金属之中,凝固后获得散热界面材料。本发明还公开其使用方法和制备装置。本发明通过在金属浸润层与碳纳米管之间反应形成金属碳化物,进一步降低碳纳米管与热源之间的接触热阻。
搜索关键词: 散热 界面 材料 制备 方法 使用方法 装置
【主权项】:
一种散热界面材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:第一步,在生长片上制备定向排列的碳纳米管阵列,第二步,在碳纳米管的自由端部先后沉积金属浸润层和金属过渡层,第三步,转移碳纳米管阵列,使得碳纳米管阵列与生长片接触的生长片端面暴露出来,第四步,在碳纳米管阵列生长片端面沉积与前述相同的金属浸润层和金属过渡层,从而得到两个端面均沉积金属的碳纳米管阵列,第五步,在碳纳米管阵列之间填充低熔点金属,且使碳纳米管阵列浸没于低熔点金属之中,凝固后获得散热界面材料。
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