[发明专利]磁结构、信息存储装置及其制造方法和操作方法无效
| 申请号： | 200910263619.0 | 申请日： | 2009-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN101770803A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 李成喆;曹永真;皮雄焕;裴智莹;徐顺爱 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/02 | 分类号： | G11C11/02 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;李娜娜 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁结构、信息存储装置及其制造方法和操作方法。磁结构包括第一部分和多个第二部分。第一部分沿第一方向延伸。多个第二部从第一部分的端部开始沿第二方向延伸。第一方向和第二方向彼此垂直。在所述磁结构中形成有沿彼此相反的方向磁化的两个磁畴以及于位于磁畴之间的磁畴壁。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 信息 存储 装置 及其 制造 方法 操作方法 | ||
【主权项】：
一种用于记录信息的磁结构，所述磁结构包括：第一部分，沿第一方向延伸；多个第二部分，所述多个第二部分中的每一个从第一部分的端部开始沿垂直于第一方向的第二方向延伸；其中，在所述磁结构中形成有沿彼此相反的方向磁化的两个磁畴，所述两个磁畴通过磁畴壁分离。
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