[发明专利]RF MEMS开关及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200910263942.8 申请日: 2009-12-30
公开(公告)号: CN101763987A 公开(公告)日: 2010-06-30
发明(设计)人: 胥超;徐永青 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
主分类号: H01H59/00 分类号: H01H59/00;H01H1/00;H01H11/00;H01H11/04
代理公司: 石家庄国为知识产权事务所 13120 代理人: 米文智
地址: 050051 河北省石家庄市合作路113*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明公开了一种RF MEMS开关及其制造方法,应用于微机电开关领域,其结构包括:带绝缘层的衬底,形成在衬底上的信号传输线和下电极,信号传输线上依次沉积的介质层和悬浮金属,锚固连接于下电极上的桥式金属电极;桥式金属电极与悬浮金属相对且有间隙地设置,信号传输线位于两个下电极之间;关键在于:在衬底上两个下电极之间且在信号传输线两侧制备有覆有介质层的驱动电极。采用此结构设置避免了直流偏压作用造成的电弧效应,解决了悬浮金属和桥式金属电极的触点处由于金属融化、粘连使开关失效的问题,从而延长了开关的使用寿命。
搜索关键词: rf mems 开关 及其 制备 方法
【主权项】:
一种RF MEMS开关,其结构包括:带绝缘层(2)的衬底(1),制备在绝缘层(2)上的信号传输线(3)和下电极(4),信号传输线(3)上依次沉积的介质层(5)和悬浮金属(6),锚固连接于下电极(4)上的桥式金属电极(9);桥式金属电极(9)与悬浮金属(6)相对且有间隙地设置,信号传输线(3)位于两个下电极(4)之间;其特征在于:在两个下电极(4)之间且在信号传输线(3)两侧制备有覆有介质层(5)的驱动电极(8)。
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